thiết kế logo thiết kế profile thiết kế catalogue thiết kế brochure thiết kế thương hiệu thiet ke logo thiết kế bao bì thiết kế poster thiết kế logo thiết kế thương hiệu thiết kế profile thiết kế catalogue thiết kế brochure thiết kế poster thiết kế bao bì

Shop TLD » PHÂN PHỐI LINH KIỆN LAPTOP » THAY Ổ CỨNG LAPTOP

PHÂN PHỐI LINH KIỆN LAPTOP
THAY PIN LAPTOP
THAY BÀN PHÍM LAPTOP
ADAPTER CHO LAPTOP
THAY MAIN LAPTOP
SỬA CHỮA LAPTOP UY TÍN
HỢP TÁC CHIẾN LƯỢC
ĐỒ NGHỀ SỬA CHỮA LAPTOP
PHỤ KIỆN - ĐỒ CHƠI LAPTOP
VIDEO SỬA CHỮA LAPTOP
Linh Kiện Laptop
Quảng cáo
SSD Samsung 850 V-NAND 120GB Mode mới nhất 2017
SSD Samsung 850 V-NAND 120GB Mode mới nhất 2017
Giá : 1,650,000 VNĐ
Bảo hành: 36 Tháng phần cứng trọn đời phần mềm
Khuyến mãi: Miến phí cài đặt cho các bạn Copy dữ liệu từ máy cũ cho các bạn Lắp đặt miến phí cho các bạn
 SSD Samsung 850 V-NAND 120GB-7.jpg

SSD Samsung 850 V-NAND 120GB-9.jpg

SSD Samsung 850 V-NAND 120GB.jpg
Ổ cứng SSD Samsung 850 Tốc Độ cao V Nand Chính Hãng 2017
Như các bạn biết ổ cứng SSD samsung là ổ cứng tốt nhất trên thị trường hiện nay tốc độ cao ổn định. Chế độ bảo hành tốt, dòng ổ cứng SSD 2,5'' 850 lắp cho tất các các dòng Laptop và PC đều được.
Hay nhanh tay nâng cấp Laptop và PC của bạn bằng ổ cứng SSD Samsung V-NAND công nghệ mới giúp cho hiệu năng máy Laptop và PC bạn nhanh hơn 500% hiệu xuất ban đầu. Máy sẽ khởi động cực nhanh ứng dụng và hệ điều hành tích kiệm nhiều thời gian cho bạn.
Miến phí cài đặt cho các bạn
Copy dữ liệu từ máy cũ cho các bạn
Lắp đặt miến phí cho các bạn
SAMSUNG IT MZ-75E 120GB 850 Series SSD 3D V-NAND
 
Product Type: Solid State Drive
Product Series: 850 EVO
Brand Name: Samsung
Manufacturer: Samsung
Product Name: SSD 850 EVO 2.5" SATA III 120GB
Manufacturer Part Number: MZ-75E120B/AM
Technical Information
Storage Capacity: 120 GB
Drive Performance
Maximum Read Transfer Rate: 540 MBps tốc độ đọc
Maximum Write Transfer Rate: 520 MBps tốc độ nghi
Interfaces/Ports
Drive Interface: SATA
Drive Interface Standard: SATA/600
Physical Characteristics
Drive Width: 2.5"
Height: 0.3"
Width: 2.8"
Depth: 3.9"
Drive Type: Internal
Weight (Approximate): 1.44 oz
Làm sáng cả một tiêu chuẩn mới về dung lượng và hiệu năng.
Công nghệ Samsung V-NAND vượt qua những hạn chế về năng lực của công nghệ NAND truyền thống với thiết kế theo chiều dọc mang tính cách mạng.V-NAND cũng áp dụng công nghệ Charge Trap Flash (CTF) tiên tiến nhằm ngăn ngừa sự tham nhũng của dữ liệu gây ra bởi sự can thiệp từ tế bào đến tế bào. và cải tiến vật liệu dẫn đến tốc độ cải tiến, hiệu quả năng lượng và độ bền.
Mở rộng theo chiều dọc phá vỡ thông qua giới hạn ngang.
Samsung đã cách mạng hóa ngành lưu trữ bằng cách chuyển NAND phẳng sang cấu trúc đứng. Công nghệ Samsung V-NAND có thiết kế độc đáo xếp chồng lên nhau 48 lớp trên đầu người khác thay vì cố gắng làm giảm kích thước của ô. Samsung đã sử dụng Công nghệ Kênh Kênh (CHT) để cho phép các tế bào kết nối theo chiều dọc với nhau thông qua một kênh hình trụ chạy qua các ô xếp chồng lên nhau.
Đổi mới nguyên liệu mà không ai có thể sánh được.
Samsung đã chuyển mô hình vật liệu sử dụng cho NAND. Samsung áp dụng công nghệ CTF sáng tạo, sử dụng một lớp Silic Nitride không dẫn điện, tạm thời giữ giá điện để duy trì tính toàn vẹn của tế bào.
Lớp không dẫn điện này bao bọc xung quanh cổng điều khiển của tế bào, hoạt động như một chất cách điện giữ các chi phí để ngăn ngừa sự tham nhũng của dữ liệu gây ra bởi sự can thiệp từ tế bào đến tế bào.
Kiến trúc theo chiều dọc mở đường cho khả năng khuếch đại.
Việc xếp các tế bào theo chiều dọc theo các ngăn xếp ba chiều cung cấp mật độ tế bào lớn hơn nhiều. Công nghệ Samsung V-NAND cho phép người sử dụng công việc nặng nề và các trung tâm dữ liệu lưu trữ và xử lý nhiều dữ liệu hơn với khả năng cải thiện đáng kể.
Samsung V-NAND cho phép lên đến 100 lớp tế bào được xếp chồng lên nhau với khả năng quy mô mật độ lên đến 1 Terabit. Nền phẳng NAND phẳng 2D chỉ có thể đạt đến mật độ tối thiểu của V-NAND
Các thuật toán cải tiến hiệu năng nhanh hơn
Bộ nhớ NAND phẳng truyền thống đòi hỏi việc tạo ra các tập hợp các thuật toán phức tạp của chương trình để ngăn ngừa sự tham nhũng của dữ liệu gây ra bởi sự can thiệp từ tế bào đến tế bào. Tuy nhiên, Samsung V-NAND hầu như không bị ảnh hưởng bởi nhiễu từ cell-to-cell.
V-NAND không cần phải trải qua một thuật toán phức tạp để ghi dữ liệu, và điều này cho phép bộ nhớ ghi dữ liệu nhanh gấp hai lần so với bộ nhớ NAND flash 2D truyền thống.
Hiệu suất năng lượng chưa từng có
Do công nghệ V-NAND đã loại bỏ vấn đề nhiễu từ cell-to-cell nên các bước lập trình của nó sẽ giảm đáng kể. Kết quả là, điện năng tiêu thụ được giảm đáng kể đến 45 phần trăm so với bộ nhớ NAND phẳng.
Nhúng độ bền cao để lưu trữ dữ liệu có giá trị của bạn
Samsung V-NAND cung cấp gấp đôi độ bền của NAND phẳng. V-NAND làm giảm điện trường vì các tế bào của nó lớn hơn một chút, và sử dụng vật liệu cách điện CTF loại bỏ nguy cơ nhiễu từ tế bào đến tế bào, dẫn đến hiệu suất lưu giữ cao.
 
Sản phẩm cùng loại
Tin tức mới nhất